藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值，具有優于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度，高效率和高穩定性的機器和工藝，使用吉致電子藍寶石拋光液和拋光墊進行CMP研磨拋光即可實現這一過程。

  通過使用CMP拋光工藝，藍寶石工件可以達到理想的表面粗糙度。每個拋光的藍寶石晶片在加工過程中都會有均勻一致的材料去除，并且表面光潔度始終如一。通過改變壓力負載，可以實現每小時1-2μm的材料去除率（MRR）。

  藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從藍寶石的晶面屬性來看，A向晶面的硬度高于C向晶面的硬度。而手機屏面屬于A向藍寶石晶面，其拋光難度最高。藍寶石A向拋光一般分為研磨、銅拋和精拋三個階段。研磨工段的作用在于，降低藍寶石原料片切削過程產生的表面階梯性劃痕深度，更主要的是使批量藍寶石原料片的厚度盡量達到一致。

 吉致電子藍寶石晶圓CMP拋光產品：藍寶石研磨液/藍寶石LED襯底拋光液/Sapphire Slurry/CMP化學機械拋光/液藍寶石A向拋光液/藍寶石C向拋光液

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