拋光液是CMP的關鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發生化學反應，生成薄且剪切強度很低的化學反應膜，反應膜（軟質層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續生成新的反應膜，CMP工藝周而復始的進行磨拋，達到表面平坦效果。

  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC表面加工工序中非常關鍵的一個環節。其中化學機械拋光（CMP）技術是目前實現SiC晶片全局平坦化最有效的方法。CMP是通過化學腐蝕和機械磨損協同作用，實現工件表面材料去除及平坦化的過程。

  吉致電子碳化硅拋光液的質量對拋光速率及拋光質量有著重要作用，拋光液特點是：

  ①流動性好，易循環，低殘留、易清洗；

  ②懸浮性能好，不宜沉淀和結塊；

  ③去除率高，不產生表面損傷；

  拋光液通過粗拋、精拋工藝可使SiC表面質量特征參數符合后序加工中的精度要求。

本文由無錫吉致電子科技原創，版權歸無錫吉致電子科技，未經允許，不得轉載，轉載需附出處及原文鏈接。http://www.83835.net/

無錫吉致電子科技有限公司

聯系電話：17706168670

郵編：214000

地址：江蘇省無錫市新吳區行創四路19-2