碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。

  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質層，研磨液中會使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續的精細拋光，因此使用粒徑較細的磨粒研磨晶片。

  為獲得高效的研磨速率，吉致電子SiC單晶襯底研磨液，需具有以下性能：

①懸浮性好，能分散高硬度磨料，并保持體系穩定。

②高去除速率，減少工藝步驟。

③研磨后SiC表面均勻（Ra＜1 nm），不容易產生深劃傷，提高良率及減少后續拋光時間。

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