常用的半導體拋光液，按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應用于 130nm 及以下技術節點邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應用于存儲芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。

  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經常添加一些化學試劑以調節PH值，為拋光過程的化學反應提供一定的酸堿性環境，確保化學反應能順利、高效地進行。

  鎢CMP拋光液主要用于金屬鎢（W）的CMP拋光，以達到精準的表面平整度和厚度控制。半導體W CMP拋光液通常包含了一些化學物質，如氧化劑、酸、堿等，以及磨料等。這些化學物質和磨料的組合可以提供高選擇比和低表面粗糙度的拋光效果。在半導體制造中，W CMP拋光液廣泛用于金屬鎢的制造，如金屬鎢的連接導線和金屬柵極等。

 吉致電子半導體拋光耗材包括CMP拋光液、研磨液、清洗液、無紡布研磨墊、拋光墊、阻尼布精拋墊等，應用于銅阻擋層系列、鎢拋光液、硅拋光液、氧化物拋光液、STI拋光等使用。