半導體業內從材料端分為：第一代元素半導體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。都要經過CMP拋光工藝，用半導體拋光液和拋光墊結合拋磨。

  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業前景最明朗的半導體材料，堪稱半導體產業內新一代“黃金賽道”。

  碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料。相比傳統的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

  吉致電子半導體拋光液系列針對電力電子器件及LED用的碳化硅晶片，提供CMP化學機械平坦化配制的碳化硅晶圓拋光液Sic Slurry。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光潔度，專為滿足Sic晶圓基片C面、單晶硅、多晶硅從研磨到 CMP工藝各階段的規格而設計。可定制硅晶圓工件 CMP 系統的優化解決方案，以提供較低的成本投入。

  吉致電子CMP拋光液的種類:

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