吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發與生產

吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產替代

  在碳化硅拋光墊/研磨墊（SiC CMP Pad）市場中，高端領域呈現出寡頭壟斷的格局。其中，杜邦Suba800系列產品被廣泛采用，同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等產品。此外，日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關鍵角色，其主打產品包括G804W、728NX和FPK66等型號。  在競爭激烈的半導體集成電路市場中，除了上述提到的幾款CMP拋光墊產品外，國內一些新興企業也在不斷研發創新，試圖打破現有的市場格局，為

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吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液？

  碲鋅鎘晶體是一種具有優異光電性能的半導體材料，其化學式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領域有著廣泛的應用。由于其高電阻率、高原子序數和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設備。此外，它還具有良好的化學穩定性和機械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進行CMP加工呢？   碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Pl

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吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗高效拋光

  CMP（化學機械拋光）拋光墊是一種在半導體制造過程中用于平面化晶圓表面的關鍵材料。CMP拋光墊通過結合化學反應和機械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達到高度平整的表面質量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結構，以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質量

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金剛石懸浮液在半導體領域的應用

    金剛石懸浮液（CMP研磨液）在半導體集成電路領域的應用：適用于半導體晶圓拋光液CMP加工，藍寶石襯底、碳化硅晶圓、氮化鎵、磷化銦等半導體晶片。    金剛石懸浮液在半導體晶圓的CMP研磨拋光中發揮著重要作用。以藍寶石襯底為例，藍寶石材質硬度較高，傳統的研磨液難以達到理想的拋光效果，而金剛石懸浮液因其高硬度、高韌性的金剛石顆粒，能夠快速去除藍寶石襯底表面的材料，同時保證加工表面的光潔度。對于碳化硅SiC和氮化鎵、磷化銦等半導體晶片，金剛石懸浮液同樣表

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吉致電子---Si硅片拋光液，為半導體護航

  半導體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體，在半導體材料的CMP加工過程中起著至關重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍色透明溶液。半導體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面，Si Slurry能夠有效地去除半導體硅晶圓表面的雜質和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，經過拋光液處理后，晶片表面的微粗糙度可以達到 0.2nm 以下。在潤滑作用中，它可以減少硅片與拋光設備之間的摩擦，降低磨損，延長設備的使用壽命。同時，在拋光過程中會產生熱量，而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量，防止硅片

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半導體芯片研磨液與CMP工藝：鑄就芯片制造的基石

  CMP工藝在芯片制造的關鍵環節  在蓬勃發展的半導體產業中，芯片制造如同一場精細的藝術創作，而半導體芯片研磨與CMP工藝則是其中重要的環節。芯片制造是一個高度復雜的過程，涉及多個步驟，CMP工藝在這個過程中起著不可或缺的作用。  隨著芯片制程不斷縮小，對晶圓表面平整度的要求越來越高。如果晶圓表面不平整，在后續的光刻、刻蝕等工藝中，就會出現對焦精度不準確、線寬控制不穩定等問題，嚴重影響芯片的性能和質量。例如，當制造層數增加時，如果晶圓表面不平整，可能導致金屬薄膜厚度不均進而影響電阻值

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電子3C行業的好幫手---蘋果logo研磨液

 客戶經常會問macbook鋁合金外面蘋果logo是怎么加工的？蘋果的背面Logo鏡面是怎么做的？蘋果logo拋光？ 蘋果產品一直以其精湛的工藝和卓越的設計而備受矚目，其中蘋果logo的研磨工藝更是在整個產品中起到了至關重要的作用。  蘋果logo采用了CMP化學機械平面拋光工藝，這一工藝借助CMP設備、研磨液 / 拋光液和拋光墊的共同作用，能夠使金屬工件表面達到鏡面效果，極大地提升了Apple logo的質感。在蘋果的筆記本電腦和手機上，閃閃發光的Apple Logo常常讓人驚艷不已

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解鎖高效，硬質合金CMP拋光液來襲

   硬質合金是由難熔金屬的硬質化合物和粘結金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優良性能，被譽為“工業牙齒”，廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件，在軍工、航天航空、機械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領域有著廣泛的應用。常用硬質合金按成分和性能特點分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類，每種都有其適用的領域和優勢。硬質合金平面件，如鎢鋼、鎢合金材質等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達到

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吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現狀

  目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數國外廠商主導。這些國外廠商憑借先進的技術和豐富的經驗，在產品質量和性能方面具有顯著優勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業在全球半導體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。  相比之下，國內企業的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發起步較晚，但近年來隨著國內半導體的快速發展，國產cmp拋光耗材也大量進入市場，國內廠家也在不斷加大研發投入，努力提升拋光液、拋光墊產品

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杜邦IC1000拋光墊的特點及國產替代

  在半導體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實現晶圓表面全局平坦化的關鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進行提供了有力保障。  杜邦IC1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區域，通過slurry的流動和分布使拋光工作持續均勻地進行。在化學機械拋光過程中，拋光液中的化學成分與晶圓表面材料產生化學反應，生成較易去除的物質，而dupont IC1000 Pad為這一化學反應提供了穩定的場所。同時，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產生的副產品，如氧化產物

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吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優點

  鈮酸鋰晶體LiNbO3化學機械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學機械加工工藝的優化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低，獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質量，更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴格需求。在一些對表面精度要求極高的應用領域，如光電子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低損耗和高折射率對比度的光波導是構建大規模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠為光波導提供更好的

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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應用及特點

  吉致電子納米級氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻，能達到快速拋光的目的且不會對加工件造成物理損傷。納米級硅溶膠拋光液不易腐蝕設備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。  吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據不同的拋光需求，生產出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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襯底與晶圓材料的選擇與特性

襯底材料半導體襯底材料的選擇對器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底：硅SI是最常見的襯底材料，因其優良的電學、熱學和機械特性廣泛應用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規模生產等優點。砷化鎵襯底：砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性，常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高，但在特定領域有無可替代的優勢。碳化硅襯底：碳化硅SIC具有高硬度、高熱導率和高溫穩定性，適用于高溫、高功率和高頻應用。碳化硅襯底的加工難度較大，但其優異的性能使其在特定領域有著重要應用

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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點偵測技術（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質研磨液）都應該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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半導體晶圓常見材質有哪些

半導體晶圓常見材質有哪些？晶圓常見的材質包括硅、藍寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復性好，在光電子技術、光學等領域有著重要的應用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍寶石晶圓藍寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結構與GaAs、Al2O3等半導體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應用。此外，藍寶石的高強度、高抗腐蝕性也使其成為防護材料，如用于

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襯底與晶圓在半導體制造中的應用

  襯底和晶圓是半導體制造過程中的兩個重要概念。襯底是作為基礎層的材料，承載著芯片和器件；而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圓則是襯底的一部分，具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜，而晶圓用于生長材料、制造芯片和執行光刻等工藝步驟。 襯底的應用：承載半導體芯片：襯底是半導體芯片的基礎，提供穩定的平臺來構建電子器件和集成電路。基礎層的沉積：在制造過程中，襯底上可能需要進行一系列的薄膜沉積，如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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金屬互連中的大馬士革工藝

 在半導體制程中為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號和為電路元件供電，需要使用導電金屬來形成互連結構。鋁曾經是半導體行業中用于這些互聯結構的主要材料。然而，隨著半導體技術的進步和特征尺寸的不斷縮小，銅成為了替代選擇，那么這個過程是如何演變的呢？  金屬互連工藝歷史：早期的集成電路使用了金作為互連材料，到60-90年代中期，鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導線材料。1997年，美國 IBM 公司公布了先進的銅互連技術，標志著銅正式開始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 

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藍寶石激光領域視窗拋光液

  藍寶石激光領域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍寶激光領域視窗對快速移動的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學技術的應用。  吉致電子藍寶石激光領域視窗拋光液，具有良好的穩定性，提高藍寶石視窗片拋光速率的同時保證藍寶石表面光滑、無缺陷的全局平坦化質量。無錫吉致電子科

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半導體晶圓CMP化學機械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學機械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實為化學與機械研磨（C&MP）的意思，化學作用與機械作用平等。目前CMP已成為半導體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現今以光技術產業為中心的IT 產業中得到了廣泛的應用。 晶體材料的結構與其光學性能息息相關，鉭酸鋰LT晶體是一種優良的多功能材料，具有很高的應用價值。LiTaO3晶體以它的化學性能穩定高（不溶與水），居里點高于600℃，不易出現退極化現象，介電損耗低，探測率優值高的優良特性，成為熱釋電紅外探測器的應用材料。  經過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機電耦合、溫度系數等綜合性

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