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吉致電子2025元旦祝福
2025新年鐘聲敲響,無錫吉致電子科技有限公司攜全體員工,向您致以最誠摯的祝福!愿2025年,科技引領未來,創新點亮生活。我們不忘初心,砥礪前行,為您帶來更優質的產品和服務。新年新氣象,愿與您攜手共創輝煌!祝福大家元旦快樂,闔家幸福!在新的一年里,吉致電子公司將持續深耕技術,不斷探索電子領域的無限可能。我們承諾,將以更加專業的態度,更加嚴謹的研發精神,為您打造更加智能、更加高效的CMP研磨拋光解決方案。同時,我們也將更加注重用戶體驗,傾聽每一位客戶的聲音,不斷優化產品和服務,讓您感受到來自吉致電子的溫暖與關懷。愿我
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吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產替代
在碳化硅拋光墊/研磨墊(SiC CMP Pad)市場中,高端領域呈現出寡頭壟斷的格局。其中,杜邦Suba800系列產品被廣泛采用,同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列,以及Supreme Series和Politex系列等產品。此外,日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關鍵角色,其主打產品包括G804W、728NX和FPK66等型號。 在競爭激烈的半導體集成電路市場中,除了上述提到的幾款CMP拋光墊產品外,國內一些新興企業也在不斷研發創新,試圖打破現有的市場格局,為
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吉致電子CMP Pad化學機械拋光墊
吉致電子專注研發、設計、測試與生產制造CMP耗材,CMP PAD化學機械拋光墊用于半導體制造、平面顯示器、光學玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團隊從事高分子材料合成、發泡技術與復合材料研制已有多年經驗,積累深厚的材料制造和研發基礎.拋光墊產品因其特殊纖維材質,耐用、耐磨、耐酸堿,價比高。PAD產品包括且不限于:聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復合拋光墊、絨面拋光墊、無紡布拋光
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吉致電子---無蠟吸附墊的特點
無蠟墊與吸附墊是在半導體與光學玻璃領域取代蠟塊粘結工件的科技產品。有直接吸附型與帶框置具型,搭配吉致CMP納米級拋光液使用,可提升晶圓、襯底、芯片的拋光效率和良品率。無蠟吸附墊Template是替代以蠟將工件黏附在置具上的模式,內層採用了拋光微孔材料其吸附性能表現為真空狀態吸附住被拋光工件,良好的壓縮率和回彈性分別適合中高壓研磨制程。廣泛應用于半導體晶圓/芯片/藍寶石襯底TFT/STN/素玻璃/石英光罩/光學玻璃等領域的CMP單面拋光。 吉致電子無蠟吸附墊的優點在于加工過程中
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吉致電子---阻尼布拋光墊的功能和應用領域
吉致電子阻尼布拋光墊(精拋墊)的功能和應用領域有哪些?一、阻尼布拋光墊的功能優勢①提高拋光質量:阻尼布拋光墊能夠有效吸收拋光過程中的振動和沖擊,使拋光表面更加光滑、細膩,從而提高產品質量。②減少表面損傷:通過降低拋光過程中的振動和沖擊力,阻尼布拋光墊可以減少對拋光表面的損傷,保護材料的完整性。③提高工作效率:阻尼布拋光墊具有良好的耐用性和穩定性,能夠長時間保持穩定的拋光效果,從而提高工作效率。二、阻尼布拋光墊的應用領域阻尼布拋光墊在多個領域都有廣泛的應用,包括但不限于:①金屬加工領域:可用于金屬表面的拋光處理,如鈦
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吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些
吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些?化學機械拋光(CMP)技術是目前國際上公認的唯一能夠實現全局平坦化的技術,在半導體技術領域中占據著舉足輕重的地位。CMP精拋墊,作為CMP化學機械平面研磨(Chemical Mechanical Polishing)精拋階段所使用的拋光墊,是半導體制造過程中不可或缺的關鍵耗材。吉致電子CMP拋光墊--精拋墊的功能特點將通過以下四個方面進行闡述: CMP精拋墊在CMP工藝流程中發揮著至關重要的作用,其主要功能涵蓋:1.確保拋光液能夠高效且均勻
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黑色阻尼布拋光墊和白色阻尼布拋光墊的區別
白色阻尼布拋光墊和黑色阻尼布拋光墊的主要區別有哪些?黑白色阻尼布PAD的區別在于材質、用途和拋光效果。一、黑色/白色阻尼布材質和用途不同?白色阻尼布拋光墊?:通常采用中等硬度的材質,如中等密度的海綿或布料。這種拋光墊在去除中度劃痕和污漬方面效果顯著,適用于中等強度的拋光作業。它能夠在拋光過程中保持適中的溫度,避免對材料造成熱損傷,因此在各種金屬、塑料等材料的拋光過程中得到廣泛應用?。黑色阻尼布拋光墊:采用較硬的材質,如高密度海綿或硬質布料。這種拋光墊具有較強的切削力和耐磨性,適用于去除重度劃痕、污漬和氧化層。
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吉致電子CMP拋光液在光學玻璃加工中的應用進展
CMP拋光液在光學玻璃領域的應用主要體現在實現光學玻璃表面的超精密加工,以滿足對表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學作用和機械研磨的有機結合,能夠有效地去除光學玻璃表面的材料,達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學技術的不斷發展,對光學玻璃表面質量的要求也越來越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進的拋光材料,在光學玻璃領域的應用越來越廣泛。 在CMP拋光過程中,拋光液中的化學成分與光學玻璃表面發生反應形成軟質層。同時,拋光液中的磨料微粒,如納米二氧化硅
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半導體拋光墊---吉致電子Suba pad替代
在半導體硅片、襯底、光學玻璃以及精密陶瓷等材料的加工領域,CMP拋光工藝是至關重要的環節,而CMP拋光墊(CMP Pad)則是這一環節中的關鍵因素之一。其中,由陶氏公司(Dow)生產的SUBA拋光墊(Suba Pad)備受矚目。 陶氏公司生產的SUBA拋光墊在CMP化學機械研磨方面有著優異的拋光性能,尤其在拋光半導體晶圓方面效果顯著。半導體晶圓和襯底是現代集成電路產業的基石,晶圓和襯底表面的平坦度、光潔度等直接影響芯片的性能和質量。SUBA拋光墊憑借其獨特的材料和結構,能夠使拋光過程達到一
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吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液?
碲鋅鎘晶體是一種具有優異光電性能的半導體材料,其化學式為CdZnTe,也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領域有著廣泛的應用。由于其高電阻率、高原子序數和良好的能量分辨率,碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設備。此外,它還具有良好的化學穩定性和機械加工性能,使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進行CMP加工呢? 碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學機械拋光(Chemical Mechanical Pl
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吉致電子--磷化銦拋光液在半導體CMP制程中的應用
無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導體材料磷化銦表面處理的CMP化學機械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學成分,能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整,確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導體制造過程中非常重要,它直接影響到最終器件的性能和穩定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個復雜的過程,需要綜合考慮多個因素,且在CMP拋磨使用時,需要根據磷化銦襯底的具體要求和拋光設備的特性來選擇合適的InP拋光液,并嚴格控制拋光過程中的參數,如溫度、壓力和拋光時間等。首先,磷化銦CMP拋光液的成分
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吉致電子CMP拋光墊:從粗到精,體驗高效拋光
CMP(化學機械拋光)拋光墊是一種在半導體制造過程中用于平面化晶圓表面的關鍵材料。CMP拋光墊通過結合化學反應和機械研磨的方式,能夠有效地去除晶圓表面的多余材料,從而達到高度平整的表面質量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成,表面具有一定的微孔結構,以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry,從而確保拋光過程的均勻性和效率。 CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換,以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料,因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質量
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金剛石懸浮液在半導體領域的應用
金剛石懸浮液(CMP研磨液)在半導體集成電路領域的應用:適用于半導體晶圓拋光液CMP加工,藍寶石襯底、碳化硅晶圓、氮化鎵、磷化銦等半導體晶片。 金剛石懸浮液在半導體晶圓的CMP研磨拋光中發揮著重要作用。以藍寶石襯底為例,藍寶石材質硬度較高,傳統的研磨液難以達到理想的拋光效果,而金剛石懸浮液因其高硬度、高韌性的金剛石顆粒,能夠快速去除藍寶石襯底表面的材料,同時保證加工表面的光潔度。對于碳化硅SiC和氮化鎵、磷化銦等半導體晶片,金剛石懸浮液同樣表
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吉致電子---什么是金剛石懸浮液CMP研磨液
金剛石懸浮液(CMP研磨液)是一種由人造鉆石磨粒分散于水基或油基液體中制備而成的拋光懸浮液。它在硅片、硬質合金、高密度陶瓷、藍寶石襯底體等多個領域都有著廣泛的應用。金剛石研磨液所含微粒是其發揮機械作用的關鍵因素。不同種類、不同粒度的金剛石微粉,拋光去除效果各不相同。例如,金剛石磨料硬度越高、粒徑越大,磨削效率越高,但加工表面光潔度越低;反之,金剛石磨料硬度越低、粒徑越小,磨削效率越低,而加工表面光潔度越高。所以,可以根據工件的具體參數選擇 不同型號和粒徑的金剛石研磨
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吉致電子--半導體CMP無蠟吸附墊
吉致電子無蠟吸附墊具有獨特的孔隙結構,其吸附性能表現為真空狀態吸附住被拋光物件,其復合結構與感壓膠設計在高的壓縮率及壓縮回彈率,分別適合CMP中高壓研磨制程,提供了優異平坦化、不易沾黏、易清潔、下片容易、耐酸堿、高壽命等特性。此外,無蠟吸附墊、芯片吸附墊、硅片吸附墊的孔隙結構還賦予其出色的透氣性和滲透性,確保了拋光過程中熱量的有效散發,避免工件因過熱而受損。感壓膠的靈活設計不僅提升了產品的適應性,使其能在各種復雜表面實現穩定吸附
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阻尼布拋光墊:提升工件CMP表面平坦度的秘訣
絨面拋光墊,亦稱阻尼布拋光墊,是由PU發泡微孔隙結構與底層特殊基材相結合的獨特復合材料。其表層的細微開孔和高壓縮率特性,使得拋光液Slurry得以充分涵養,從而促進機械與化學反應的充分作用。此外,表層優秀的研磨液流動性有助于提升工件表面的潔凈度,降低表面粗糙度,并減少橘皮和微劃傷等缺陷。 阻尼布拋光墊廣泛應用于各種精密加工領域,如半導體、液晶顯示屏、光學玻璃等。其優異的拋光性能不僅能夠滿足高精度的表面處理要求,而且在提高生產效率和降低材料消耗方面也表現出色。由于其獨特的材料結構,絨面拋光墊
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吉致電子---Si硅片拋光液,為半導體護航
半導體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體,在半導體材料的CMP加工過程中起著至關重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍色透明溶液。半導體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面,Si Slurry能夠有效地去除半導體硅晶圓表面的雜質和凸起,使硅片表面更加光滑平整。例如,經過拋光液處理后,晶片表面的微粗糙度可以達到 0.2nm 以下。在潤滑作用中,它可以減少硅片與拋光設備之間的摩擦,降低磨損,延長設備的使用壽命。同時,在拋光過程中會產生熱量,而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量,防止硅片
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吉致電子LN鈮酸鋰拋光液,CMP精密加工好助手
鈮酸鋰化學式為LiNbO3簡稱LN,具有良好的非線性光學性質,可用作光波導材料,或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術如今被廣泛應用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值,優化在非線性光學領域的應用;Nd:Mg:LN晶體可實現自倍頻效應;Fe:LN晶體可用于光學體全息存儲。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷,晶圓快速達到理想粗糙度。 8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領域有著廣泛的應用。相較于較小尺寸的晶圓,8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優勢。首先,它擁有更大
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半導體芯片研磨液與CMP工藝:鑄就芯片制造的基石
CMP工藝在芯片制造的關鍵環節 在蓬勃發展的半導體產業中,芯片制造如同一場精細的藝術創作,而半導體芯片研磨與CMP工藝則是其中重要的環節。芯片制造是一個高度復雜的過程,涉及多個步驟,CMP工藝在這個過程中起著不可或缺的作用。 隨著芯片制程不斷縮小,對晶圓表面平整度的要求越來越高。如果晶圓表面不平整,在后續的光刻、刻蝕等工藝中,就會出現對焦精度不準確、線寬控制不穩定等問題,嚴重影響芯片的性能和質量。例如,當制造層數增加時,如果晶圓表面不平整,可能導致金屬薄膜厚度不均進而影響電阻值
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電子3C行業的好幫手---蘋果logo研磨液
客戶經常會問macbook鋁合金外面蘋果logo是怎么加工的?蘋果的背面Logo鏡面是怎么做的?蘋果logo拋光? 蘋果產品一直以其精湛的工藝和卓越的設計而備受矚目,其中蘋果logo的研磨工藝更是在整個產品中起到了至關重要的作用。 蘋果logo采用了CMP化學機械平面拋光工藝,這一工藝借助CMP設備、研磨液 / 拋光液和拋光墊的共同作用,能夠使金屬工件表面達到鏡面效果,極大地提升了Apple logo的質感。在蘋果的筆記本電腦和手機上,閃閃發光的Apple Logo常常讓人驚艷不已
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