吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發與生產

3C鏡面拋光液用什么拋光液

  3C產品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級磨料制備而成，規格一般在10nm-150nm拋光后的產品鏡面精度高，表面收光細膩。  氧化硅精拋液進行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測可達納米級。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎，再精拋去除缺陷和不良效果。  有客戶使用二氧化硅拋光液后工件表面會產生麻點，這是由于

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吉致電子拋光液---溫度對藍寶石襯底CMP工藝的影響

  溫度在藍寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對CMP工藝的影響體現在拋光的各個環節。  在CMP工藝的化學反應過程和機械去除過程這兩個環節中, 受溫度影響十分強烈。一般來說, 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學腐蝕嚴重, 表面完美性差。所以, 藍寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內, 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實驗表明, 拋光液在40℃左右的時候, 拋光速率達到了最大值, 隨著溫度繼續升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產生拋光液蒸騰現象。&nbs

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藍寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響

藍寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對于粒徑為80nm的研磨料: 藍寶石拋光液的質量分數為10% 時, CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質量分數增大至15%時,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質量分數繼續增大至20% 時, CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因為藍寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機械磨削的粒子數增多, 相應的有效粒子數也增多, 粒徑一定的情況下,

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吉致電子藍寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍寶石研磨液/拋光液，是通過化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍寶石研磨液由優質聚晶金剛石微粉、復合分散劑和分散介質組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產生劃傷。  吉致電子藍寶石研磨液、CMP拋光液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學技術和集成電路技術的飛速發展，對光學元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強、拋光精度高、拋光質量好、使用壽命長，在光學精密拋光領域發揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學鏡片的

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半導體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學器件和光電行業的精密研磨，特別適用于半導體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導體行業的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復合材料配置而成，通過電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點，是一種性能優良的CMP拋光材料。廣泛應用于金屬或半導體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過程，適用于大規模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導體器件的加工過程、平面顯示器、多

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半導體拋光液---半導體材料有哪些？

  半導體業內從材料端分為：第一代元素半導體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業前景最明朗的半導體材料，堪稱半導體產業內新一代“黃金賽道&

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吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規模集成電路芯片的集成度已經達到了數十億個元件，特征尺寸已經達到了納米級，這就需要微電子技術中的數百道工序，尤其是多層布線、襯底、介質等必須通過CMP化學機械技術，拋光液和拋光墊磨拋達到平坦化。VLSI布線正從傳統的鋁布線工藝向銅布線工藝轉變。  銅材質具有快速遷移的特性，容易通過介質層擴散，導致相鄰銅線之間漏電，進而導致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質襯底上沉積擴散阻擋層，工業上已經廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學拋光(CMP)技術slurry拋光漿料

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產品具備線路精準度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達反光鏡面效果。吉致電子針對陶瓷覆銅板制備的拋光研

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吉致電子--不銹鋼工件的研磨拋光工序

不銹鋼拋光液CMP拋光液，主要應用于不銹鋼工件表面研磨拋光工藝，不銹鋼拋光液一般有去粗、粗拋、中拋、精拋鏡面四道流程。去粗工藝:不銹鋼拋光液用較粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割線等痕跡，研磨去除部分余料；的粗拋工藝:研磨移除劃痕和刀痕，提高表面平整度；中拋工藝:進階拋光劃痕、麻點，拋光霧面，不銹鋼中拋液提高不銹鋼工件表面亮度。精拋鏡面拋光：用不銹鋼精拋液精細化拋磨，保持工件表面的亮度升級亮度反光度，不銹鋼表面達到反光鏡面。吉致電子CMP手機鈦合金件研磨拋光液/鋁合金件研磨拋光液/鎂合金件研磨拋光液/不銹鋼研磨

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不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光

  手機、電腦、平板電腦等移動終端設備，會用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質，為了達到增強光澤度和平坦度，金屬手機工件需要Logo拋光、攝像頭保護件拋光、手機按鍵拋光、手機邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。  吉致電子不銹鋼拋光液針對這些不銹鋼工件的拋光設計而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料。可用于不銹鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達到鏡面效果。不銹鋼拋光液經過特殊配方調配，化學拋光作用溫和，對機臺和工

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吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用

  吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。  STI Slurry 適用于集成電路當中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調，低缺陷等特性?？蓱糜谶壿嬓酒约?D NAND和DRAM芯片等量產使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。  可定制選擇穩定的選擇比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優點。BS

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吉致電子CMP不銹鋼拋光液的特點

吉致電子CMP拋光液在不銹鋼材料的表面精密加工工藝中，能夠獲得高亮度、無視覺缺陷的拋光效果，在手機、pad、數碼相機等電子產品中有很好的應用。吉致電子不銹鋼拋光液在實際應用中憑借高濃度、高稀釋比例等卓越的性能得到了客戶的充分肯定，主要用于不銹鋼的CMP工藝，目前已在國內主流的手機代工客戶處得到良好的應用。能拋光不銹鋼LOGO鏡面，拋光后光滑如鏡，不出現R角，無麻點，無劃傷，無拋光紋，達到理想的光潔度。不銹鋼拋光液的特點：①能夠在不銹鋼的CMP過程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不銹鋼拋光液具有表面張力低、易清洗、

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金屬手機邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機金屬外殼/手機邊框材質一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機金屬邊框要達到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態，在拋光過程中起到收光磨料的作用。  金屬手機精拋液的主要技術要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會影響到最終的拋光效果，高低差別會導致手機金屬工件發黑氧化，以及麻點和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當）又可以達到傳統工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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碳化硅襯底拋光液的特點

碳化硅半導體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因為碳面與硅面的極性不同，所以化學活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學機械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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吉致電子 射頻濾波器拋光液slurry廠家

  射頻濾波器發展至今，基本主要有兩種構型，其中，一類是SAW濾波器（聲表面波，Surface Acoustic Wave），另一類是BAW濾波器（體聲波，Bulk Acoustic Wave），而BAW濾波器又可細分為SMR（固態裝配諧振器,Solidly Mounted Resonator）和FBAR（薄膜腔諧振器,Film Bulk Acoustic Resonator）4-6。目前市場主流的濾波器是SAW（聲表面波濾波器）、BAW（體聲波濾波器）和FBAR（薄膜腔聲諧振濾波器）  隨著5

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氧化鋁拋光液在藍寶石窗口中的應用

  α -氧化鋁(Al2O3)是眾多氧化鋁晶相中的最穩定的晶體相，它由其他晶相的氧化鋁在高溫下轉變而成，是天然氧化物晶體中硬度最高的物質，硬度僅次于金剛石，遠遠大于二氧化硅溶膠顆粒，它是一種常用的拋光用磨料，被廣泛用于許多硬質材料的拋光上。應用于CMP拋光液制備中，常用于在藍寶石窗口的鏡面拋光工藝中。 α -氧化鋁(Al2O3)其實與藍寶石是同一種物質或材料，材料結構中的原子排列模式完全相同，區別在于多晶體與單晶體。因此，從硬度上講α-氧化鋁(Al2O3)納米粉體與藍寶石晶體的硬度相當，可以用于

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藍寶石拋光液的成分

  藍寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調節劑等，拋光液是影響CMP（化學機械拋光）效果最重要的因素之一。評價拋光液性能好壞的指標是流動性好，分散均勻，在規定時間內不能產生團聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環保等。  其中，磨料主要影響化學機械拋光中的機械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復合磨料等。行業內主流拋光

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