吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發與生產

第三代半導體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發展的需要，以化合物半導體材料，特別是第三代半導體為代表的半導體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統，特高壓電網必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統的“心臟”。從國際技術發展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產業化，車規級功率器件是當前開發重點，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機取卡針拋光液

  吉致電子手機液態金屬拋光液，手機取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點是不易沉淀、不結晶、不腐蝕機臺，易于清洗。  適用于3C電子產品，手機電子元器件、液態金屬、喇叭網聽筒/手機音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無劃傷、橘皮、坑點、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質、環保無危害，可接觸皮膚。  產品運用拋光液中的CMP化學機械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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半導體行業CMP化學機械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學機械平坦化工藝，應用于各種集成電路及半導體行業等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學研磨和物理研磨的過程，而單一的化學或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優點，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學機械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實現納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點及應用

吉致電子金剛石研磨液產品特點：（1）磨料類型多樣化，包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應用領域：1、拋光液CMP半導體晶片加工：藍寶石、碳化硅、氮化鎵等半導體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發生產廠家，產品質量和效果媲美進口slurry，CMP拋光液粒度規

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CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優點

  通?；瘜W機械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液（又稱稀土拋光液）。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進的分散工藝，將納米氧化鈰粉體分散在水相介質中，形成高度分散化、均勻化和穩定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應用中，納米CeO2拋光液相對硅溶膠，具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優勢，且PH中性，使用壽命長、對拋光表面污染小，不易風干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上，尤其是拋光超薄硅片，納米氧化鈰

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吉致電子常見的CMP研磨液

  CMP 化學機械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據產品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調節去除速率和選擇比的添加劑。  根據拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程，在10nm 及以下技術節點中，鈷將部分代替銅作為導線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學機械平面工藝中的研磨材料和化學添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學機械拋光液---什么是TSV技術？

銅機械化學拋光液---什么是TSV技術？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互連，實現芯片之間互連的最新技術。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術。TSV的顯著優勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導體材料？  CMP拋光液越來越多的應用于第三代半導體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術門檻和市場壁壘發展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機會。  目前，第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。這代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力

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不銹鋼工件原始品質對CMP拋光效果的影響

  不銹鋼鏡面拋光效果的優良，不僅取決于拋光方案設計、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數設置，不銹鋼拋光工件的原始品質也影響到最終的拋光的效果。當拋光效果不盡人意時，不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質進行評估和優化，同時對于工件的質量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質對CMP拋光工藝的影響1.優質的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會對拋光產生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

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吉致電子---氧化鈰研磨液在半導體CMP制程中的作用

  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導體芯片制程：應用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關鍵技術，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進行二氧化硅沉積、后用CMP技術進行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優于其他產品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機和筆記本上的金屬Logo是如何實現鏡面工藝的呢？

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吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業的應用

  CMP化學機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導體行業的應用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據工件參數要求，需要調整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質量。  在半導體行業CMP環節之中，也存在

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藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液

藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液？藍寶石拋光液是以高純度硅粉為原料，經特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液，是一種高純度的氧化硅拋光液，廣泛應用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產的藍寶石拋光液主要用于藍寶石襯底研磨減薄，藍寶石A向拋光液，藍寶石C向拋光液等。拋光范圍如：硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍寶石拋光液Sapphire Slurry的特點：1.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對電子類產品的污染。2.高拋光速率，利用大粒徑的膠

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2023吉致電子春節放假通知

尊敬的客戶:新春伊始，萬象更新，值此春節到來之際，無錫吉致電子科技有限公司全體員工感謝您長期以來對我司的支持與厚愛!向您致以最誠摯的祝福和問候!一路走來，有您相伴，因為您的支持，我們信心百倍！因為您的合作，我們碩果累累！因為您的指導，我們不斷進步！因為您的呵護，我們心存感激！吉致電子科技有限公司期待與您攜手共進，共同創造一個共贏輝煌的2023年，在新的一年里，我司會持續為您提供更優質的服務!公司春節放假時間具體安排如下:放假時間: 2023年1月14日--1月28日  開工時間：2023年1月29日因放假

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SiO2二氧化硅拋光液--硅溶膠粒徑大小的區別

  二氧化硅拋光液SiO2 Slurry的制備中主要成分是納米硅溶膠，一般分為大粒徑硅溶膠和小粒徑硅溶膠，那么怎么定義硅溶膠粒徑大小呢，吉致電子小編為您詳解： 大粒徑硅溶膠與小粒徑硅溶膠的定義 CMP精拋液中納米硅溶膠顆粒的粒徑為10-50nm，這個粒徑范圍的硅溶膠在市場上最常見，價格也相對便宜。如果對硅溶膠的純度和pH值沒有特殊要求，這種規格的硅溶膠價格相對比較便宜。 大粒徑硅溶膠:粒徑＞50nm的硅溶膠一般可稱為大粒徑硅溶膠。吉致電子科技生產的大粒徑硅溶膠最大可達150n

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硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密

  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導體晶圓、光學玻璃、3C電子金屬元件、藍寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學名，適用范圍已擴展到半導體產品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機可以將氧化硅研磨液循環引入磨盤，同時起到潤滑和冷卻的作用，通過拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達到0.2um

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吉致電子陶瓷基板拋光液

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。目前，已應用作為陶瓷覆銅板基板材料共有三種陶瓷，分別是氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致電子陶瓷基板拋光液能拋磨這3種陶瓷材料，并達到理想RA值。淺談一下三種陶瓷基板的性能：  氧化鋁陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的絕緣性、好的化學穩定性、好的力學性能和低的價格，但由于氧化鋁陶瓷基片相對低的熱導率、與硅的熱膨脹系數匹配不好。作為高功率模塊封裝材料，氧化鋁材料的應用前景不容樂觀。  氮化鋁覆銅板：在熱特性方面

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區之間隔離區的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護有源區在去掉氮化硅時免受化學污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護STI氧化硅淀積過程中保護有源區；在化學機械拋光(CMP)中充當阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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SIC碳化硅的化學機械拋光工藝

  碳化硅Sic單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質量。  SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：機械拋光：簡單但會殘留劃痕，適用于初拋；化學機械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設備復雜，常用于HTCVD過程；等離子輔助拋光：設備復雜，不常用。選擇CMP

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