吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發與生產

藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用

  藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產生劃傷。金剛石研磨液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。  吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用:1.外延片生產前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序，根據最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3

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CMP制程中拋光墊的作用有哪些？

  CMP技術是使被拋光材料在化學和機械的共同作用下，材料表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。拋光液中的化學成分與材料表面進行化學反應，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①傳遞材料去除所需的機械載荷；②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；③使拋光液有效均勻分布至整個加工區域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環；④維持拋光過程所需的機械和化學環境。除拋光墊的力

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。  化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實質是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內，C 面在 0. 5 nm 之內。 根據 GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關鍵研究方向在于優化工藝參數，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關工藝

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國際第三代半導體年度盛會--吉致電子半導體拋光耗材受關注

  吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會頒發的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發，是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立，獲得該獎項是對吉致電子在半導體照明產業領域出色表現的高度認可。  后摩爾時代，發展正當時的第三代半導體產業迎來發展機遇。半導體業繼往開來進入新的發展階段，論壇期間氛圍熱烈，學術報告、行業

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氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良，精細拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時間，同時提高陶瓷工件拋光的質量，幫助客戶縮短工時提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細拋光（120分鐘）。在不到2.5小時的時間里，得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點是不結晶、不團聚，磨削力強，拋光效果好。可以滿足高硬度材料、精密的微小元器件、高質量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優質金剛石微粉，結合吉致專利配方工藝，調配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實際使用中工件研磨速率穩定，材料去除率高

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順遂。“誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠開心快樂，希望快樂不止圣誕！

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CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用

  化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制造的關鍵步驟，這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，CMP耗材品質直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質量至關重要。  CMP拋光液/墊技術壁壘較高，高品質的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環節。&nbs

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吉致電子應邀出席半導體國際論壇并斬獲獎牌

  2023年11月28日第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區舉辦的、專業性最強、影響力最大的第三代半導體領域國際性年度盛會，也是規模最大、規格最高的第三代半導體全產業鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會，斬獲大會頒發的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發，是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產品合格率下降，也造成后續加工難度，這與金屬鉬的特性有關，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達到鏡面效果。  鉬的特點：鉬是一種難溶金屬，具有很多優良的物力化學和機械性能。由于原子間結合力極強，所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數低，導電率大，導熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數液態金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當穩定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導熱率、低介電常數、低熱膨脹系數、高機械強度、高耐腐蝕性等特點。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應用再軍事和空間技術通訊、計算機、儀器儀表、半導體電子設備、汽車等各個領域。氮化鋁陶瓷經過CMP拋光后可用于半導體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達鏡面效果，特點如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環使用，根據工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發生化學反應，生成薄且剪切強度很低的化學反應膜，反應膜（軟質層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續生成新的反應膜，CMP工藝周而復始的進行磨拋，達到表面平坦效果。  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關材料國際會議“優秀組織獎”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會議聚焦寬禁帶半導體相關材料及器件多學科主題，邀請全球60余位知名專家學者、龍頭企業、資本機構蒞臨會議現場，通過大會報告、專場報告、高峰論壇、口頭報告、項目路演和墻報等形式，分享全球寬禁帶半導體技術最新研究進展，交換產業前瞻性觀點，展示企業先進成果，促進行業互聯互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會議，并在會議期間設有展臺。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質層，研磨液中會使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續的精細拋光，因此使用粒徑較細的磨粒研磨晶片。  為獲

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第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區別

  隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來我國半導體材料市場發展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關注，兩者經常被拿來比較。  同為寬近帶半導體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點。  隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

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半導體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導體襯底，需要經過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液

  氧化鋁拋光液在LED行業的應用廣泛，如藍寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產的氧化鋁拋光液/研磨液可專業用于藍寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩定性好，α相轉晶完全，團聚小易分散等特點。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩定劑、分散劑的種類和質量都有

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吉致電子手機中框拋光液及智能穿戴設備表面處理

手機中框、智能穿戴設備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機中框對于鏡面拋光要求非常高，需要達到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質手機中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達到一個高亮面的效果，其效果可達到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團聚，軟硬度適中，有效避免拋光過程中由于顆粒團聚導致 的工件表面劃傷缺陷。3.運用拋光過程中的化學新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時降低微

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環境下保持穩定的物理和化學性質。  吉致電子生產的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產品可廣泛應用于半導體、集成電路、光學儀器，精密陶瓷，硬質合金，LED顯示屏等多種領域。溶劑一般分為水基，油基，潤滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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