吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發與生產

研磨液和拋光液在半導體芯片加工中的應用

  磨削和研磨等磨料處理是半導體芯片加工過程中的一項重要工藝，主要是應用化學研磨液混配磨料的方式對半導體表面進行精密加工，但是研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對生產芯片來 說是十分重要的。拋光和研磨在半導體生產中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，經過研具與工件在一定壓力下的相對運動對加工件表面進行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，工件的外形有平面，內、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型

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藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用

  藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產生劃傷。金剛石研磨液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。  吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用:1.外延片生產前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序，根據最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。  化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實質是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內，C 面在 0. 5 nm 之內。 根據 GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關鍵研究方向在于優化工藝參數，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關工藝

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國際第三代半導體年度盛會--吉致電子半導體拋光耗材受關注

  吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會頒發的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發，是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立，獲得該獎項是對吉致電子在半導體照明產業領域出色表現的高度認可。  后摩爾時代，發展正當時的第三代半導體產業迎來發展機遇。半導體業繼往開來進入新的發展階段，論壇期間氛圍熱烈，學術報告、行業

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順遂。“誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠開心快樂，希望快樂不止圣誕！

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吉致電子應邀出席半導體國際論壇并斬獲獎牌

  2023年11月28日第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區舉辦的、專業性最強、影響力最大的第三代半導體領域國際性年度盛會，也是規模最大、規格最高的第三代半導體全產業鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會，斬獲大會頒發的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發，是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產品合格率下降，也造成后續加工難度，這與金屬鉬的特性有關，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達到鏡面效果。  鉬的特點：鉬是一種難溶金屬，具有很多優良的物力化學和機械性能。由于原子間結合力極強，所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數低，導電率大，導熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數液態金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當穩定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導熱率、低介電常數、低熱膨脹系數、高機械強度、高耐腐蝕性等特點。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應用再軍事和空間技術通訊、計算機、儀器儀表、半導體電子設備、汽車等各個領域。氮化鋁陶瓷經過CMP拋光后可用于半導體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達鏡面效果，特點如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環使用，根據工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發生化學反應，生成薄且剪切強度很低的化學反應膜，反應膜（軟質層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續生成新的反應膜，CMP工藝周而復始的進行磨拋，達到表面平坦效果。  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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半導體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導體襯底，需要經過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環境下保持穩定的物理和化學性質。  吉致電子生產的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產品可廣泛應用于半導體、集成電路、光學儀器，精密陶瓷，硬質合金，LED顯示屏等多種領域。溶劑一般分為水基，油基，潤滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經過吉致電子研發和實驗，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級磨料，粒徑均一穩定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過CMP工藝可有效去除基底涂層，對基底無劃傷無殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內外同類產品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤由強度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達到拋光效果，即使有效拋磨時間也非常漫長。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結合，通過不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達到平整光滑的效果。硬質金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實現平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優質的金剛石微粉復合分散劑和分散介質組成，配方多樣化，適用不同的研拋過程和于硬質材料的研磨和拋光。本文由無錫吉致電子科技原創，版權歸無錫吉致電子科技，未經允許，不得轉

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吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優質多晶金剛石微粉復合分散劑和分散介質制備而成，廣泛適用于半導體行業、金屬行業、光電行業等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應用領域：藍寶石加工----用于藍寶石A向、C向、R向、M向，藍寶石LED襯底、藍寶石蓋板、藍寶石窗口片。半導體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識別片，氧化鋯陶瓷手機后殼，氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質合金、鎢鉬合金以

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吉致電子---常見的半導體研磨液有哪些

  吉致電子半導體研磨液有哪些？常見的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導體制程、光學玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩定切削力強，被廣泛應用于led工業、半導體產業、光學玻璃和寶石加工業、機械加工業等不同行業中。研磨液是半導體加工生產過程中的一項非常重要工藝，它主要是通過CMP研磨液混配磨料的方式對半導體表面進行精密加工，達到平坦度。研磨液是影響半導體表面工作質量的重要經濟因素。吉致電子用經驗和技術服務每一位客戶，有CMP

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第三代半導體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發展的需要，以化合物半導體材料，特別是第三代半導體為代表的半導體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統，特高壓電網必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統的“心臟”。從國際技術發展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產業化，車規級功率器件是當前開發重點，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機取卡針拋光液

  吉致電子手機液態金屬拋光液，手機取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點是不易沉淀、不結晶、不腐蝕機臺，易于清洗。  適用于3C電子產品，手機電子元器件、液態金屬、喇叭網聽筒/手機音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無劃傷、橘皮、坑點、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質、環保無危害，可接觸皮膚。  產品運用拋光液中的CMP化學機械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優點

  通常化學機械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液（又稱稀土拋光液）。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進的分散工藝，將納米氧化鈰粉體分散在水相介質中，形成高度分散化、均勻化和穩定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應用中，納米CeO2拋光液相對硅溶膠，具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優勢，且PH中性，使用壽命長、對拋光表面污染小，不易風干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上，尤其是拋光超薄硅片，納米氧化鈰

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吉致電子常見的CMP研磨液

  CMP 化學機械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據產品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調節去除速率和選擇比的添加劑。  根據拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程，在10nm 及以下技術節點中，鈷將部分代替銅作為導線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

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