吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發與生產

吉致電子---阻尼布拋光墊的功能和應用領域[ 12-20 16:12 ]

吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）的功能和應用領域有哪些？一、阻尼布拋光墊的功能優勢①提高拋光質量：阻尼布拋光墊能夠有效吸收拋光過程中的振動和沖擊，使拋光表面更加光滑、細膩，從而提高產品質量。②減少表面損傷：通過降低拋光過程中的振動和沖擊力，阻尼布拋光墊可以減少對拋光表面的損傷，保護材料的完整性。③提高工作效率：阻尼布拋光墊具有良好的耐用性和穩定性，能夠長時間保持穩定的拋光效果，從而提高工作效率。二、阻尼布拋光墊的應用領域阻尼布拋光墊在多個領域都有廣泛的應用，包括但不限于：①金屬加工領域：可用于金屬表面的拋光處理，如鈦

黑色阻尼布拋光墊和白色阻尼布拋光墊的區別[ 12-13 15:18 ]

白色阻尼布拋光墊和黑色阻尼布拋光墊的主要區別有哪些？黑白色阻尼布PAD的區別在于材質、用途和拋光效果。一、黑色/白色阻尼布材質和用途不同?白色阻尼布拋光墊?：通常采用中等硬度的材質，如中等密度的海綿或布料。這種拋光墊在去除中度劃痕和污漬方面效果顯著，適用于中等強度的拋光作業。它能夠在拋光過程中保持適中的溫度，避免對材料造成熱損傷，因此在各種金屬、塑料等材料的拋光過程中得到廣泛應用?。黑色阻尼布拋光墊：采用較硬的材質，如高密度海綿或硬質布料。這種拋光墊具有較強的切削力和耐磨性，適用于去除重度劃痕、污漬和氧化層。

吉致電子LN鈮酸鋰拋光液，CMP精密加工好助手[ 11-06 17:17 ]

  鈮酸鋰化學式為LiNbO3簡稱LN，具有良好的非線性光學性質，可用作光波導材料，或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術如今被廣泛應用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值，優化在非線性光學領域的應用；Nd:Mg:LN晶體可實現自倍頻效應；Fe:LN晶體可用于光學體全息存儲。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷，晶圓快速達到理想粗糙度。  8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領域有著廣泛的應用。相較于較小尺寸的晶圓，8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優勢。首先，它擁有更大

DNA基因芯片cmp工藝[ 10-11 17:17 ]

  基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時將大量的探針分子固定到固相支持物上，借助核酸分子雜交配對的特性對DNA樣品的序列信息進行高效解讀和分析的技術，主要應用在醫學領域、生物學研究領域和農業領域。DNA芯片生產過程需要經過CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無機水凝膠或有機聚合物水凝膠等?；蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准壞チ现苽?，粒徑均一穩定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質水凝

CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些[ 08-09 09:01 ]

  半導體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領域的應用遠不止晶圓拋光，半導體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數將翻倍，達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導通，STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的

CMP拋光墊的種類及特點[ 07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類可按材質結構主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優異的特點，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結構 在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠將磨料顆粒保持在拋光液中，可以實現高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

吉致電子CMP拋光墊的作用[ 07-18 16:19 ]

CMP技術是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下，工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環；②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機械載荷；④維持拋光過程所需的機械和化學環境。除拋光墊的力學性能以外，其表面組織

SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 06-21 15:45 ]

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長的單晶的直徑大于標準尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標準尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 05-31 17:27 ]

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因為單晶硅片具有以下優點：單晶硅片是半導體器件制造的基礎材料，應用廣泛。計算機芯片、智能手機中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導體性能：單晶硅是一種半導體材料，具有較弱的導電性。該材料的電導率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導體。通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導

吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 05-31 17:13 ]

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料，具有優異的電子特性和光學性能。在現代電子設備中，氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領域也具有巨大的發展潛力。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質量影響著器件的

吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區別[ 05-29 15:44 ]

  在半導體制造過程中，襯底和晶圓是兩個常見的術語。它們扮演著重要的角色，但在定義、結構和用途上存在一些差異和區別。  襯底---作為基礎層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎。襯底可以看作是半導體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續工藝如外延生長、薄膜沉積等能夠順利進行。  晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

吉致電子--單晶硅與多晶硅的區別[ 05-23 18:01 ]

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡單談談單晶硅和多晶硅的區別： 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區別在于晶體結構、物理性質和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣：  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結構具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個小晶體的晶體結構都有一定的差異，因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較復雜。 ②

SiC碳化硅應用領域有哪些？[ 04-30 18:03 ]

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發展最成熟的第三代半導體材料，可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節能減碳行業,萬眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優異的高溫強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，近年來隨著新能源汽車、半導體、光伏等行業的起飛而需求爆發，深深地滲入到這些新興領域的

半導體襯底和外延的區別是什么？[ 04-30 16:39 ]

  在半導體產業鏈中，特別是第三代半導體（寬禁帶半導體）產業鏈中，會有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區別是什么呢？  在第三代半導體產業鏈，晶圓制備過程中存在兩個重要環節：①是襯底的制備，②是外延工藝的實施。這兩個環節的區別是怎樣的，存在的意義又有何不同？  襯底由半導體單晶材料精心打造的晶圓片，可以作為基礎直接投入晶圓制造的流程來生產半導體器件，或者進一步通過外延工藝來增強性能

CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎？[ 03-20 17:22 ]

CMP設備及耗材對工藝效果影響嗎？答案是：有關鍵影響。CMP工藝離不開設備機臺及耗材，其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下：①設備參數：拋光時間、研磨盤轉速、拋光頭轉速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等；②研磨液參數：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數等 ；③拋光墊參數：硬度、密度、空隙大小、彈性等；④CMP對象薄膜參數：種類、厚度、硬度、化學性質、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對 CMP 工藝效應均有關鍵影響。1. CMP 拋

什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝[ 03-07 17:22 ]

碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復切割產生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝，是目前大部分國內碳化硅襯底廠商規模化生產的工藝方案，對碳化硅進行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產生的損傷層，修復面型，

CMP制程中拋光墊的作用有哪些？[ 02-21 16:15 ]

  CMP技術是使被拋光材料在化學和機械的共同作用下，材料表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。拋光液中的化學成分與材料表面進行化學反應，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①傳遞材料去除所需的機械載荷；②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；③使拋光液有效均勻分布至整個加工區域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環；④維持拋光過程所需的機械和化學環境。除拋光墊的力

CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用[ 12-21 11:53 ]

  化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制造的關鍵步驟，這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，CMP耗材品質直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質量至關重要。  CMP拋光液/墊技術壁壘較高，高品質的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環節。&nbs

第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區別[ 11-03 17:35 ]

  隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來我國半導體材料市場發展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關注，兩者經常被拿來比較。  同為寬近帶半導體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點。  隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]

  氧化鋁拋光液在LED行業的應用廣泛，如藍寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產的氧化鋁拋光液/研磨液可專業用于藍寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩定性好，α相轉晶完全，團聚小易分散等特點。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩定劑、分散劑的種類和質量都有